WMBT3906同様の

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    • NPN epitaxial silicon high voltage transistor Power dissipation 225mW. Collector current(max) 0.2A
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WMBT3906データシート規格

メーカー : WingShing 

パッキン : SOT-89 

ピン : 3 

温度 : 分 0 °C | マックス 0 °C

サイズ : 72 KB

アプリケーション : PNP epitaxial silicon high voltage transistor Power dissipation 225mW. Collector current(max) 0.2A 

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