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IRF822FIデータシート: N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 1.9A
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IRF822FIデータシート: N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 1.9A
メーカー : ST Microelectronics
パッキン : ISOWATT220
ピン : 3
温度 : 分 -65 °C | マックス 150 °C
サイズ : 185 KB
アプリケーション : N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 1.9A