パス:OKデータシート > 半導体データシート > ST Microelectronicsデータシート > IRF820FI
IRF820FIデータシート: N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 2.2A
パス:OKデータシート > 半導体データシート > ST Microelectronicsデータシート > IRF820FI
IRF820FIデータシート: N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 2.2A
メーカー : ST Microelectronics
パッキン : ISOWATT220
ピン : 3
温度 : 分 -65 °C | マックス 150 °C
サイズ : 185 KB
アプリケーション : N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 2.2A