パス：OKデータシート > 半導体データシート > Polyfet RFデータシート > F2013
F2013データシート： 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F2013データシート規格
メーカー : Polyfet RF
パッキン :
ピン : 4
温度 : 分 -65 °C | マックス 150 °C
サイズ : 41 KB
アプリケーション : 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F2013 PDFダウンロード