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F2012データシート： 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F2012データシート規格
メーカー : Polyfet RF
パッキン :
ピン : 2
温度 : 分 -65 °C | マックス 150 °C
サイズ : 40 KB
アプリケーション : 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
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