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SP201データシート: "4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"
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SP201データシート: "4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"
メーカー : Polyfet RF
パッキン :
ピン : 2
温度 : 分 -65 °C | マックス 150 °C
サイズ : 37 KB
アプリケーション : "4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"