P281データシート： 2.5 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

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P281
- 2.5 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

P281データシート規格

メーカー : Polyfet RF

パッキン : SO-8

ピン : 8

温度 : 分 -65 °C | マックス 150 °C

サイズ : 41 KB

アプリケーション : 2.5 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor