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P122データシート: "1 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"
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P122データシート: "1 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"
メーカー : Polyfet RF
パッキン : SO
ピン : 6
温度 : 分 -65 °C | マックス 150 °C
サイズ : 47 KB
アプリケーション : "1 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"