LQ801同様の

  • LQ801
    • 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

LQ801データシート規格

メーカー : Polyfet RF 

パッキン :  

ピン : 4 

温度 : 分 -65 °C | マックス 150 °C

サイズ : 38 KB

アプリケーション : 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor 

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