パス:OKデータシート > 半導体データシート > Polyfet RFデータシート > LB401
LB401データシート: 130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
パス:OKデータシート > 半導体データシート > Polyfet RFデータシート > LB401
LB401データシート: 130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
メーカー : Polyfet RF
パッキン :
ピン : 4
温度 : 分 -65 °C | マックス 150 °C
サイズ : 41 KB
アプリケーション : 130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor