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L8821Pデータシート: 5 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
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L8821Pデータシート: 5 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
メーカー : Polyfet RF
パッキン : SO-8
ピン : 8
温度 : 分 -65 °C | マックス 150 °C
サイズ : 43 KB
アプリケーション : 5 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor