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  • L8821P
    • 5 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

L8821Pデータシート規格

メーカー : Polyfet RF 

パッキン : SO-8 

ピン : 8 

温度 : 分 -65 °C | マックス 150 °C

サイズ : 43 KB

アプリケーション : 5 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor 

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