F2021同様の

  • F2021
    • 7.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F2021データシート規格

メーカー : Polyfet RF 

パッキン :  

ピン : 2 

温度 : 分 -65 °C | マックス 150 °C

サイズ : 40 KB

アプリケーション : 7.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

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