okDatasheet.com

F2002同様の

  • F2001
    • 2.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F2002
    • 5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F2004
    • 8 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F2002データシート規格

メーカー : Polyfet RF 

パッキン :  

ピン : 2 

温度 : 分 -65 °C | マックス 150 °C

サイズ : 40 KB

アプリケーション : 5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

F2002 PDFダウンロード