F1280データシート： 80 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

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F1280
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F1280データシート規格

メーカー : Polyfet RF

パッキン :

ピン : 6

温度 : 分 -65 °C | マックス 150 °C

サイズ : 42 KB

アプリケーション : 80 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor