F1208同様の

  • F1206
    • 8 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F1207
    • 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F1208
    • 40 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F1209
    • 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1208データシート規格

メーカー : Polyfet RF 

パッキン :  

ピン : 4 

温度 : 分 -65 °C | マックス 150 °C

サイズ : 41 KB

アプリケーション : 40 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

F1208 PDFダウンロード