F1012データシート： Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1012同様の

F1012
- Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F1014
- Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F1015
- Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F1016
- Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F1018
- Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F1019
- Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1012データシート規格

メーカー : Polyfet RF

パッキン :

ピン : 4

温度 : 分 -65 °C | マックス 150 °C

サイズ : 41 KB

アプリケーション : Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor