パス:OKデータシート > 半導体データシート > Polyfet RFデータシート > F1007
F1007データシート: Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
パス:OKデータシート > 半導体データシート > Polyfet RFデータシート > F1007
F1007データシート: Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
メーカー : Polyfet RF
パッキン :
ピン : 4
温度 : 分 -65 °C | マックス 150 °C
サイズ : 41 KB
アプリケーション : Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor