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PHD6N10Eデータシート： 100 V, power MOS transistor
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PHD6N10Eデータシート規格
メーカー : Philips
パッキン : SOT
ピン : 3
温度 : 分 -55 °C | マックス 175 °C
サイズ : 62 KB
アプリケーション : 100 V, power MOS transistor
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