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PHB2N60Eデータシート： 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
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PHB2N60Eデータシート規格
メーカー : Philips
パッキン : SOT
ピン : 3
温度 : 分 -55 °C | マックス 150 °C
サイズ : 83 KB
アプリケーション : 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
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