パス：OKデータシート > 半導体データシート > Philipsデータシート > PHB112N06T
PHB112N06Tデータシート： 55 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHB112N06T同様の
- PHB100N03LT
- 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHB10N40
- PowerMOS transistor.
- PHB10N40E
- 400 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHB112N06T
- 55 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHB11N03LT
- N-channel TrenchMOS(TM) transistor Logic level FET
- PHB11N03LT
- 30 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET
- PHB11N06LT
- 55 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET
- PHB11N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
PHB112N06Tデータシート規格
メーカー : Philips
パッキン : SOT
ピン : 3
温度 : 分 -55 °C | マックス 175 °C
サイズ : 288 KB
アプリケーション : 55 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHB112N06T PDFダウンロード