パス：OKデータシート > 半導体データシート > Philipsデータシート > IRF830
IRF830データシート： 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated
パス：OKデータシート > 半導体データシート > Philipsデータシート > IRF830
IRF830データシート： 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated
メーカー : Philips
パッキン : SOT
ピン : 3
温度 : 分 -55 °C | マックス 150 °C
サイズ : 63 KB
アプリケーション : 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated