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BUK555-200Bデータシート: PowerMOS transistor. Logic level FET. Drain-source voltage 200 V. Drain current(DC) 13 A.
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BUK555-200Bデータシート: PowerMOS transistor. Logic level FET. Drain-source voltage 200 V. Drain current(DC) 13 A.
メーカー : Philips
パッキン : TO220AB
ピン : 3
温度 : 分 0 °C | マックス 175 °C
サイズ : 76 KB
アプリケーション : PowerMOS transistor. Logic level FET. Drain-source voltage 200 V. Drain current(DC) 13 A.