VTE1113同様の

  • VTE1063
    • GaAlAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 5.0 mW/cm2 at distance 36 mm, diameter 6.4 mm.
  • VTE1113
    • GaAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 15 mW/cm2 at distance 36 mm, diameter 6.4 mm.
  • VTE1163
    • GaAlAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 28 mW/cm2 at distance 36 mm, diameter 6.4 mm.
  • VTE1261
    • GaAlAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 3.9 mW/cm2 (distance 36 mm, diameter 6.4 mm).
  • VTE1262
    • GaAlAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 5.2 mW/cm2 (distance 36 mm, diameter 6.4 mm).
  • VTE1281-1
    • GaAlAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 3.3 mW/cm2 (distance 36 mm, diameter 6.4 mm).
  • VTE1281-2
    • GaAlAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 6.5 mW/cm2 (distance 36 mm, diameter 6.4 mm).
  • VTE1281F
    • GaAlAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 0.21 mW/cm2 (distance 36 mm, diameter 6.4 mm).

VTE1113データシート規格

メーカー : PerkinElmer 

パッキン : TO-46 

ピン : 2 

温度 : 分 -55 °C | マックス 125 °C

サイズ : 27 KB

アプリケーション : GaAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 15 mW/cm2 at distance 36 mm, diameter 6.4 mm. 

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