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NTE3312データシート: Insulated gate bipolar transistor. N-channel enhancement mode, high speed switch.
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NTE3312データシート: Insulated gate bipolar transistor. N-channel enhancement mode, high speed switch.
メーカー : NTE Electronic
パッキン :
ピン : 3
温度 : 分 0 °C | マックス 150 °C
サイズ : 19 KB
アプリケーション : Insulated gate bipolar transistor. N-channel enhancement mode, high speed switch.