MTB36N06V同様の

  • MTB30N06VL
    • TMOS V power field effect transistor
  • MTB30P06V
    • TMOS V power field effect transistor
  • MTB30P06V
    • TMOS V power field effect transistor
  • MTB33N10E
    • TMOS E-FET high energy power FET
  • MTB36N06V
    • TMOS V power field effect transistor
  • MTB3N120E
    • TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
  • MTB3N120E
    • TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
  • MTB3N60E
    • TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount

MTB36N06Vデータシート規格

メーカー : Motorola 

パッキン : DPAK 

ピン : 4 

温度 : 分 -55 °C | マックス 175 °C

サイズ : 265 KB

アプリケーション : TMOS V power field effect transistor 

MTB36N06V PDFダウンロード