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MTB1N100Eデータシート: TMOS E-FET high energy power FET
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MTB1N100Eデータシート: TMOS E-FET high energy power FET
メーカー : Motorola
パッキン : DPAK
ピン : 4
温度 : 分 -55 °C | マックス 150 °C
サイズ : 281 KB
アプリケーション : TMOS E-FET high energy power FET