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BUL45D2データシート: High speed, high gain bipolar NPN power transistor with integrated collector-emitter diode and built-in efficient antisaturation network
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BUL45D2データシート: High speed, high gain bipolar NPN power transistor with integrated collector-emitter diode and built-in efficient antisaturation network
メーカー : Motorola
パッキン :
ピン : 4
温度 : 分 -65 °C | マックス 150 °C
サイズ : 488 KB
アプリケーション : High speed, high gain bipolar NPN power transistor with integrated collector-emitter diode and built-in efficient antisaturation network