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BD241Bデータシート： 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
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BD241Bデータシート規格
メーカー : Micro Electronics
パッキン : TO-220B
ピン : 3
温度 : 分 -55 °C | マックス 150 °C
サイズ : 106 KB
アプリケーション : 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
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