BC262同様の

  • BC261
    • 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor
  • BC262
    • 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor
  • BC263
    • 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor

BC262データシート規格

メーカー : Micro Electronics 

パッキン : TO-18 

ピン : 3 

温度 : 分 -65 °C | マックス 200 °C

サイズ : 103 KB

アプリケーション : 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor 

BC262 PDFダウンロード