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BC262データシート: 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor
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BC262データシート: 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor
メーカー : Micro Electronics
パッキン : TO-18
ピン : 3
温度 : 分 -65 °C | マックス 200 °C
サイズ : 103 KB
アプリケーション : 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor