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BUL52Aデータシート: Advanced distributed base design high voltage high speed NPN silicon power transistor. Designed for use in electronic ballast applications.
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BUL52Aデータシート: Advanced distributed base design high voltage high speed NPN silicon power transistor. Designed for use in electronic ballast applications.
メーカー : Magnatec
パッキン : TO220
ピン : 3
温度 : 分 0 °C | マックス 150 °C
サイズ : 20 KB
アプリケーション : Advanced distributed base design high voltage high speed NPN silicon power transistor. Designed for use in electronic ballast applications.