IRFS59N10D同様の

  • IRFS17N20D
    • HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.17 Ohm, ID = 16A
  • IRFS23N15D
    • HEXFET power MOSFET. VDSS = 150V, RDS(on) = 0.090 Ohm, ID = 23A
  • IRFS23N15D
    • HEXFET power MOSFET. VDSS = 150V, RDS(on) = 0.090 Ohm, ID = 23A
  • IRFS23N20D
    • HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.10 Ohm, ID = 24A
  • IRFS33N15D
    • HEXFET power MOSFET. VDSS = 150V, RDS(on) = 0.056 Ohm, ID = 33A
  • IRFS38N20D
    • HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.054 Ohm, ID = 44A
  • IRFS4710
    • HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.014 Ohm, ID = 75A
  • IRFS59N10D
    • HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.025 Ohm, ID = 58A

IRFS59N10Dデータシート規格

メーカー : IR 

パッキン : DDPak 

ピン : 3 

温度 : 分 -55 °C | マックス 175 °C

サイズ : 151 KB

アプリケーション : HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.025 Ohm, ID = 58A 

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