IRFI830G同様の

  • IRFI064
    • HEXFET transistror. BVDSS = 60V, RDS(on) = 0.017 Ohm, ID = 45 A
  • IRFI064
    • HEXFET transistror. BVDSS = 60V, RDS(on) = 0.017 Ohm, ID = 45 A
  • IRFI1010N
    • HEXFET power MOSFET. VDSS =55V, RDS(on) = 0.012 Ohm, ID = 49 A
  • IRFI1310G
    • HEXFET power MOSFET
  • IRFI260
    • HEXFET transistor
  • IRFI3205
    • "HEXFET power MOSFET. VDSS = 55V, RDS(on) = 0.008 Ohm, ID = 64 A"
  • IRFI360
    • HEXFET transistor (N-channel). BVDSS = 400V, RDS(on) = 0.20 Ohm, ID = 25 A
  • IRFI460
    • HEXFET transistor (N-channel). BVDSS = 500V, RDS(on) = 0.27 Ohm, ID = 21 A

IRFI830Gデータシート規格

メーカー : IR 

パッキン : TO-220 FULLPAK 

ピン : 3 

温度 : 分 -55 °C | マックス 150 °C

サイズ : 186 KB

アプリケーション : HEXFET power MOSFET. VDSS = 500V, RDS(on) = 1.5 Ohm, ID = 3.1 A 

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