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IRFBE30データシート: HEXFET power MOSFET. VDSS = 800V, RDS(on) = 3.0 Ohm, ID = 4.1A
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IRFBE30データシート: HEXFET power MOSFET. VDSS = 800V, RDS(on) = 3.0 Ohm, ID = 4.1A
メーカー : IR
パッキン :
ピン : 3
温度 : 分 -55 °C | マックス 150 °C
サイズ : 183 KB
アプリケーション : HEXFET power MOSFET. VDSS = 800V, RDS(on) = 3.0 Ohm, ID = 4.1A