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IRFB9N65Aデータシート: HEXFET power MOSFET. VDSS = 650V, RDS(on) = 0.93 Ohm, ID = 8.5A
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IRFB9N65Aデータシート: HEXFET power MOSFET. VDSS = 650V, RDS(on) = 0.93 Ohm, ID = 8.5A
メーカー : IR
パッキン :
ピン : 3
温度 : 分 -55 °C | マックス 150 °C
サイズ : 112 KB
アプリケーション : HEXFET power MOSFET. VDSS = 650V, RDS(on) = 0.93 Ohm, ID = 8.5A