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IRFB9N60Aデータシート: HEXFET power MOSFET. VDSS = 600V, RDS(on) = 0.75 Ohm, ID = 9.2A
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IRFB9N60Aデータシート: HEXFET power MOSFET. VDSS = 600V, RDS(on) = 0.75 Ohm, ID = 9.2A
メーカー : IR
パッキン :
ピン : 3
温度 : 分 -55 °C | マックス 150 °C
サイズ : 148 KB
アプリケーション : HEXFET power MOSFET. VDSS = 600V, RDS(on) = 0.75 Ohm, ID = 9.2A