IRF9Z14S同様の

  • IRF9130
    • Repetitive avalanche and dv/dt rated HEXFET transistor thru-hole(TO-204AA/AE). BVDSS = -100V, RDS(on) = 0.30 Ohm, ID = -11A
  • IRF9140
    • HEXFET transistor thru-hole. BVDS = -100V, RDS(on) = 0.2 Ohm , ID = -18A
  • IRF9140
    • HEXFET transistor thru-hole. BVDS = -100V, RDS(on) = 0.2 Ohm , ID = -18A
  • IRF9140
    • HEXFET transistor thru-hole. BVDS = -100V, RDS(on) = 0.2 Ohm , ID = -18A
  • IRF9240
    • HEXFET transistor thru-hole. BVDS = -200V, RDS(on) = 0.5 Ohm , ID = -11A
  • IRF9240
    • HEXFET transistor thru-hole. BVDS = -200V, RDS(on) = 0.5 Ohm , ID = -11A
  • IRF9240
    • HEXFET transistor thru-hole. BVDS = -200V, RDS(on) = 0.5 Ohm , ID = -11A
  • IRF9240
    • HEXFET transistor thru-hole. BVDS = -200V, RDS(on) = 0.5 Ohm , ID = -11A

IRF9Z14Sデータシート規格

メーカー : IR 

パッキン : DDPak 

ピン : 3 

温度 : 分 -55 °C | マックス 175 °C

サイズ : 397 KB

アプリケーション : HEXFET power MOSFET. VDSS = -60V, RDS(on) = 0.50 Ohm, ID = -6.7A 

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