パス：OKデータシート > 半導体データシート > IRデータシート > IRF7701
IRF7701データシート： HEXFET power MOSFET. VDSS = -12V, RDS(on) = 0.011 Ohm, ID = -10A @ VGS = -4.5V. RDS(on) = 0.015 Ohm, ID = -8.5A @ VGS = -2.5V. RDS(on) = 0.022 Ohm, ID = -7.0A @ VGS = -1.8V.
IRF7701同様の
- IRF7103
- N-channel power MOSFET for fast switching applications, 50V, 3A
- IRF7103Q
- N-channel power MOSFET for anti-lock braking systems applications, 50V, 3A
- IRF7103Q
- N-channel power MOSFET for anti-lock braking systems applications, 50V, 3A
- IRF7103QTR
- N-channel power MOSFET for anti-lock braking systems applications, 50V, 3A
- IRF720
- N-channel HEXFET, 400V, 3.3A
- IRF7204
- P-channel MOSFET for fast switching applications, 20V, 5.3A
- IRF721
- N-channel HEXFET, 350V, 3.3A
- IRF722
- N-channel HEXFET, 400V, 2.8A
IRF7701データシート規格
メーカー : IR
パッキン : TSSOP
ピン : 8
温度 : 分 -55 °C | マックス 150 °C
サイズ : 161 KB
アプリケーション : HEXFET power MOSFET. VDSS = -12V, RDS(on) = 0.011 Ohm, ID = -10A @ VGS = -4.5V. RDS(on) = 0.015 Ohm, ID = -8.5A @ VGS = -2.5V. RDS(on) = 0.022 Ohm, ID = -7.0A @ VGS = -1.8V.
IRF7701 PDFダウンロード