パス：OKデータシート > 半導体データシート > IRデータシート > IRF5N5210
IRF5N5210データシート： HEXFET power MOSFET surface mount. BVDSS = -100V, RDS(on) = 0.060 Ohm, ID = -31A
IRF5N5210同様の
- IRF510
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.54 Ohm, ID = 5.6A
- IRF510S
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.54 Ohm, ID = 5.6A
- IRF520N
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.20 Ohm, ID = 9.7A
- IRF520NL
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.20 Ohm, ID = 9.7A
- IRF520NS
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.20 Ohm, ID = 9.7A
- IRF520VL
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.165 Ohm, ID = 9.6A
- IRF520VS
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.165 Ohm, ID = 9.6A
- IRF5210
- HEXFET power MOSFET. VDSS = -100V, RDS(on) = 0.06 Ohm, ID = -40A
IRF5N5210データシート規格
メーカー : IR
パッキン : SMD-1
ピン : 3
温度 : 分 -55 °C | マックス 150 °C
サイズ : 129 KB
アプリケーション : HEXFET power MOSFET surface mount. BVDSS = -100V, RDS(on) = 0.060 Ohm, ID = -31A
IRF5N5210 PDFダウンロード