IRF5851同様の

  • IRF510
    • HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.54 Ohm, ID = 5.6A
  • IRF510S
    • HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.54 Ohm, ID = 5.6A
  • IRF520N
    • HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.20 Ohm, ID = 9.7A
  • IRF520NL
    • HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.20 Ohm, ID = 9.7A
  • IRF520NS
    • HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.20 Ohm, ID = 9.7A
  • IRF520VL
    • HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.165 Ohm, ID = 9.6A
  • IRF520VS
    • HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.165 Ohm, ID = 9.6A
  • IRF5210
    • HEXFET power MOSFET. VDSS = -100V, RDS(on) = 0.06 Ohm, ID = -40A

IRF5851データシート規格

メーカー : IR 

パッキン : TSOP 

ピン : 6 

温度 : 分 -55 °C | マックス 150 °C

サイズ : 189 KB

アプリケーション : HEXFET power MOSFET. VDSS = -20V, RDS(on) = 0.135 Ohm (P-Ch). VDSS = 20V, RDS(on) = 0.090 Ohm (N-Ch) 

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