パス:OKデータシート > 半導体データシート > IRデータシート > IRF5810
IRF5810データシート: HEXFET power MOSFET. VDSS = -20V, RDS(on) = 90 mOhm, ID = -2.9A @ VGS = -4.5V, RDS(on) = 135 mOhm, ID = -2.3A @ VGS = -2.5V
パス:OKデータシート > 半導体データシート > IRデータシート > IRF5810
IRF5810データシート: HEXFET power MOSFET. VDSS = -20V, RDS(on) = 90 mOhm, ID = -2.9A @ VGS = -4.5V, RDS(on) = 135 mOhm, ID = -2.3A @ VGS = -2.5V
メーカー : IR
パッキン : TSOP
ピン : 6
温度 : 分 -55 °C | マックス 150 °C
サイズ : 228 KB
アプリケーション : HEXFET power MOSFET. VDSS = -20V, RDS(on) = 90 mOhm, ID = -2.9A @ VGS = -4.5V, RDS(on) = 135 mOhm, ID = -2.3A @ VGS = -2.5V