パス：OKデータシート > 半導体データシート > IRデータシート > IRF1010E
IRF1010Eデータシート： HEXFET power MOSFET. VDSS = 60V, RDS(on) = 12 mOhm, ID = 84A.
IRF1010E同様の
- IRF1010E
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 60V, RDS(on) = 12 mOhm, ID = 84A.
- IRF1010EL
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 60V, RDS(on) = 12 mOhm, ID = 84A.
- IRF1010ES
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 60V, RDS(on) = 12 mOhm, ID = 84A.
- IRF1010N
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 55V, RDS(on) = 11 mOhm, ID = 85A.
- IRF1010NL
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 55V, RDS(on) = 11 mOhm, ID = 85A.
- IRF1010NS
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 55V, RDS(on) = 11 mOhm, ID = 85A.
- IRF1104
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 40V, RDS(on) = 0.009 Ohm, ID = 100A.
- IRF130
- Repetitive avalanche and dv/dt rated HEXFET transistor thru-hole(TO-204AA/AE). BVDSS =100V, RDS(on) = 0.18 Ohm, ID = 14A
IRF1010Eデータシート規格
メーカー : IR
パッキン :
ピン : 3
温度 : 分 -55 °C | マックス 175 °C
サイズ : 214 KB
アプリケーション : HEXFET power MOSFET. VDSS = 60V, RDS(on) = 12 mOhm, ID = 84A.
IRF1010E PDFダウンロード