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IRC830データシート： HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 4.5A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 500V. Drain-to-source on-resistance 1.5 Ohm
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IRC830データシート規格
メーカー : IR
パッキン : TO-220
ピン : 5
温度 : 分 -55 °C | マックス 150 °C
サイズ : 244 KB
アプリケーション : HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 4.5A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 500V. Drain-to-source on-resistance 1.5 Ohm
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