パス：OKデータシート > 半導体データシート > HYNIXデータシート > HY51VS18163HGJ-7
HY51VS18163HGJ-7データシート： "Dynamic RAM organized 1,048,576 words x 16bit, self refresh, 70ns"
HY51VS18163HGJ-7同様の
- HY51V17403HGJ-6
- 4,194,304 words x 4 bit EDO RAM, 3.3V, 60ns
- HY51V17403HGLJ-6
- 4,194,304 words x 4 bit EDO RAM, 3.3V, 60ns, low power
- HY51V17403HGLJ-7
- 4,194,304 words x 4 bit EDO RAM, 3.3V, 70ns, low power
- HY51V17403HGLT-6
- 4,194,304 words x 4 bit EDO RAM, 3.3V, 60ns, low power
- HY51V17403HGLT-7
- 4,194,304 words x 4 bit EDO RAM, 3.3V, 70ns, low power
- HY51V17403HGT-6
- 4,194,304 words x 4 bit EDO RAM, 3.3V, 60ns
- HY51V17403HGT-7
- 4,194,304 words x 4 bit EDO RAM, 3.3V, 70ns
- HY51V18163HGJ-7
- Dynamic RAM organized 1,048,576 words x 16bit, 70ns
HY51VS18163HGJ-7データシート規格
メーカー : HYNIX
パッキン : SOJ
ピン : 42
温度 : 分 0 °C | マックス 70 °C
サイズ : 117 KB
アプリケーション : "Dynamic RAM organized 1,048,576 words x 16bit, self refresh, 70ns"
HY51VS18163HGJ-7 PDFダウンロード