パス：OKデータシート > 半導体データシート > HYNIXデータシート > HY51V18163HGT-6
HY51V18163HGT-6データシート： Dynamic RAM organized 1,048,576 words x 16bit, 60ns
HY51V18163HGT-6同様の
- HY51V17403HGJ-6
- 4,194,304 words x 4 bit EDO RAM, 3.3V, 60ns
- HY51V17403HGLJ-6
- 4,194,304 words x 4 bit EDO RAM, 3.3V, 60ns, low power
- HY51V17403HGLJ-7
- 4,194,304 words x 4 bit EDO RAM, 3.3V, 70ns, low power
- HY51V17403HGLT-6
- 4,194,304 words x 4 bit EDO RAM, 3.3V, 60ns, low power
- HY51V17403HGLT-7
- 4,194,304 words x 4 bit EDO RAM, 3.3V, 70ns, low power
- HY51V17403HGT-6
- 4,194,304 words x 4 bit EDO RAM, 3.3V, 60ns
- HY51V17403HGT-7
- 4,194,304 words x 4 bit EDO RAM, 3.3V, 70ns
- HY51V18163HGJ-7
- Dynamic RAM organized 1,048,576 words x 16bit, 70ns
HY51V18163HGT-6データシート規格
メーカー : HYNIX
パッキン : TSOP II
ピン : 44
温度 : 分 0 °C | マックス 70 °C
サイズ : 117 KB
アプリケーション : Dynamic RAM organized 1,048,576 words x 16bit, 60ns
HY51V18163HGT-6 PDFダウンロード