パス：OKデータシート > 半導体データシート > Creeデータシート > W4TXE0X-0D00
W4TXE0X-0D00データシート： Diameter 76.2mm; lsemi-insulating (prototype); silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition
メーカー : Cree
パッキン :
ピン : 0
温度 : 分 0 °C | マックス 0 °C
サイズ : 306 KB
アプリケーション : Diameter 76.2mm; lsemi-insulating (prototype); silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition