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W4SRD8R-0D00データシート： Diameter 50.8mm; semi-insulating; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition
メーカー : Cree
パッキン :
ピン : 0
温度 : 分 0 °C | マックス 0 °C
サイズ : 306 KB
アプリケーション : Diameter 50.8mm; semi-insulating; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition