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W4NRD8C-U000データシート： Diameter 50.8mm; ultra-low mircopipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition
メーカー : Cree
パッキン :
ピン : 0
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サイズ : 306 KB
アプリケーション : Diameter 50.8mm; ultra-low mircopipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition