BS616UV2021AI10同様の

  • BS616LV2020DI
    • 2.7-3.6V 70/100ns very low power/voltage CMOS SRAM 128K x 16 switchable
  • BS616LV4011BC
    • 70/100ns 20-45mA 2.4-5.5V ultra low power/voltage CMOS SRAM 256K x 16bit
  • BS616LV4020AC
    • 70/100ns 20mA 2.7-3.6V ultra low power/voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8bit switchable
  • BS616LV2012DI
    • 70/100ns 2.7-3.6V ultra low power/voltage CMOS SRAM 128K x 16bit
  • BS616UV1620BI
    • 70/100ns 25mA 1.8-2.3V ultra low power/voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8bit switchable
  • BS616LV4023BI
    • 70/100ns 20mA 2.4-3.6V ultra low power/voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8bit switchable
  • BS616LV8013BC
    • 70/100ns 20mA 2.4-3.6V ultra low power/voltage CMOS SRAM 512K x 16bit
  • BS616UV1010AC
    • 150ns 15-10mA 1.8-2.6V ultra low power/voltage CMOS SRAM 64K x 16bit

BS616UV2021AI10データシート規格

メーカー : BSI 

パッキン : BGA 

ピン : 48 

温度 : 分 -40 °C | マックス 85 °C

サイズ : 279 KB

アプリケーション : 10ns ultra low power/voltage CMOS SRAM 128K x 16 or 256K x 8bit switchable 

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